标准包装：500

类别：分立半导体产品

家庭：FET - 单

系列：SIPMOS®

包装：带卷（TR）

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压（Vdss）：200V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：14.5A（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：200 毫欧 @ 9A，5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：-

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：1120pF @ 25V

功率 - 最大值：95W

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA

供应商器件封装：TO-262-3

其它名称：BUZ31E3046XBUZ31E3046XKSP000011344